反铁磁材料在信息处分与内存芯片技巧边界具有平素旁边出路。据最新一期《当然》杂志，好意思国麻省理工学院科研团队仅使用光就在反铁磁材料中竣事了磁态调理，创造出一种新式且执久的磁态。这一技巧为磋磨东说念主员提供了纵脱磁性的深广器具，有助于筹算更快、更小、更节能的内存芯片。

　　反铁磁体由自旋标的轮流的原子构成，每个原子的自旋标的王人与其相邻原子的自旋标的相背。这种上、下、上、下的轨则基本对消了自旋，使反铁磁体总磁化强度为零，从而不受任何磁力影响。

　　淌若能用反铁磁材料制成内存芯片，就可将数据“写入”材料的微不雅区域，即磁畴。在给定磁畴中，自旋标的的某种成就（举例，上—下）代表经典的比特“0”，而另一种成就（下—上）则代表“1”。在这么的芯片上写入数据，能抵抗外部磁场的干涉。

　　由于磁畴的踏实性，反铁磁体可整合到将来的内存芯片中，使这些芯片能耗更少、占用空间更小，同期存储和处分的数据更多。可是，将反铁磁材料旁边于存储技巧的一个主要终止在于，如何以可靠形式纵脱反铁磁体，使其从一种磁态调理到另一种磁态。

　　这次，团队使用太赫兹激光器顺利刺激反铁磁材料中的原子。激光器的飘荡频率被调至与材料原子间的当然振动相匹配，从而篡改原子自旋的均衡，使其向一种新的磁态滚动。

　　所用材料为FePS3——一种在临界温度（约118K）时滚动为反铁磁相的材料。他们将合成的FePS3样品置于真空室中，冷却至118K及以下温度。然后，他们让一束近红外光穿过有机晶体，将光调理为太赫兹频率，从而产生太赫兹脉冲。之后，他们将这束太赫兹光瞄准样品。

　　在屡次重迭试验中，团队不雅察到九游娱乐(中国)有限公司-官方网站，太赫兹脉冲顺利地将原来为反铁磁性的材料切换到了一个新的磁态。这一滑变出乎巧合地执久，致使在激光关闭后仍能执续数毫秒。